Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP20N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP20N50E
SIHP20N50E-GE3 Hakkında
Vishay SIHP20N50E-GE3, 500V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, 184mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 92nC gate charge ve 1640pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 179W maksimum güç dağılımına izin veren bu transistör, yüksek gerilim güç elektronik uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok