Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP18N50C
SIHP18N50C-E3 Hakkında
SIHP18N50C-E3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 270mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör tasarımları ve endüstriyel aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 223W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2942 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 223W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok