Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP186N60EF
SIHP186N60EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHP186N60EF-GE3, 600V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 193mΩ (10V, 9.5A'da) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. 32nC gate charge ve 1081pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok