Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP17N80E
SIHP17N80E-GE3 Hakkında
SIHP17N80E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 290mΩ maksimum Rds(On) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 208W güç dağıtabilir. Gate başlatma gerilimi maksimum 4V olup, ±30V Vgs toleransı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2408 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok