Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP17N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP17N80AEF
SIHP17N80AEF-GE3 Hakkında
SIHP17N80AEF-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel Power MOSFET transistörüdür. E serisi hızlı MOSFET teknolojisine dayanan bu komponent, 15A sürekli dren akımı kapasitesine ve 179W maksimum güç dağılımına sahiptir. 305mΩ maksimum on-direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. 63nC gate charge ve 1300pF input kapasitans özellikleriyle düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 305mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok