Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP17N80AE
SIHP17N80AE-GE3 Hakkında
SIHP17N80AE-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 15A sürekli drain akımı kapasitesi ve 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, AC/DC adaptörler, endüstriyel güç kaynakları ve enerji yönetimi sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponetin maksimum 179W güç harcaması vardır. Düşük gate charge (62nC) ve kontrol edilebilir kapıs gerilimi özelliği ile sürücü devreleri tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok