Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP17N60D
SIHP17N60D-GE3 Hakkında
SIHP17N60D-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. 17A sürekli drain akımı ve 340mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi, anahtarlama ve darbe genişlik modülasyonu (PWM) devrelerinde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel inverterler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralığındaki uygulamalara uygunluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1780 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok