Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP15N80AEF
SIHP15N80AEF-GE3 Hakkında
SIHP15N80AEF-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 13A sürekli drenaj akımı ve 350mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. Hızlı komütasyon özellikleri sayesinde SMPS, inverter, motor sürücü ve güç dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-220 paket ile montajı kolay ve radiator uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1128 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok