Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP15N65E
SIHP15N65E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP15N65E-GE3, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-220 paketinde sunulan transistör, anahtarlama güç kaynakları, enerji dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 96nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok