Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP15N60E
SIHP15N60E-GE3 Hakkında
SIHP15N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15A sürekli dren akımı ve 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 180W maksimum güç dağılımı destekleyen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş özellikleriyle, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok