Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP15N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP15N50E
SIHP15N50E-GE3 Hakkında
SIHP15N50E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 14.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 280mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 66nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1162 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok