Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP14N60E
SIHP14N60E-GE3 Hakkında
SIHP14N60E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 147W maksimum güç tüketimine sahip bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 309mOhm (10V, 7A) on-dirençi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1205 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 309mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok