Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHP14N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SIHP14N50D

SIHP14N50D-GE3 Hakkında

SIHP14N50D-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 14A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltaj dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir transistördür. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1144 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok