Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP12N65E
SIHP12N65E-GE3 Hakkında
SIHP12N65E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC/DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. 10V gate sürüş geriliminde 380mOhm RDS(on) değeri sunarak düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 156W maksimum güç yayınlayabilir. ±30V maksimum gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile güvenli ve kararlı operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1224 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok