Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP12N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP12N50E
SIHP12N50E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP12N50E-GE3, 500V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel power MOSFET transistörüdür. 10.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 380mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. Gate charge değeri 50nC olup, girdi kapasitesi 100V'de 886pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 114W maksimum güç tüketimi ile ağır yük uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok