Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP125N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP125N60EF
SIHP125N60EF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP125N60EF-GE3, 600V drain-source geriliminde çalışan bir N-channel MOSFET transistördür. 25A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220AB paketine sahip bu bileşen, 125 mΩ (10V, 12A'da) on-resistance değeriyle düşük kaybı ve yüksek verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesine sahip transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 47 nC gate charge ve 1533 pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1533 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok