Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP120N60E
SIHP120N60E-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP120N60E-GE3, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltajlı endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama hızı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 45nC gate charge ile kontrol devresi tasarımı kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1562 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok