Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP11N80E
SIHP11N80E-GE3 Hakkında
SIHP11N80E-GE3, Vishay tarafından üretilen 800V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 12A sürekli drain akımı kapasitesi ve 179W maksimum güç dağılımı ile çalışır. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, 440mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel güç denetimi, anahtarlama kaynakları, motor denetim devreleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 88nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok