Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP10N40D
SIHP10N40D-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP10N40D-GE3, N-channel MOSFET transistöre sahip yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir devre elemanıdır. 400V drain-source voltajı ve 10A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu transistör, TO-220AB paketlemesi ile gücü verimli bir şekilde dağıtabilir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 147W güç tüketebilen SIHP10N40D-GE3, endüstriyel motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V gate-source voltajı çalışma aralığı ve 5V gate-source voltajında çalışabilmesi, çeşitli sürücü devreler ile uyumluluğunu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 526 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok