Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP105N60EF
SIHP105N60EF-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHP105N60EF-GE3, 600V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 102mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, sanayi ve enerji dönüştürme sistemlerinde yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 53nC gate charge ve 1804pF input capacitance özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynakları, adaptörler ve SMPS devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1804 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok