Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP080N60E
SIHP080N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHP080N60E-GE3, 600V 35A drain akımına sahip N-Channel Power MOSFET transistörüdür. TO-220AB paket tipinde imal edilen bu komponent, 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. 227W maksimum güç disipasyon kapasitesi ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) çalışabilmesi, enerji yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverter ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaya uygun kılmaktadır. 63nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2557 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok