Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP068N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP068N60EF
SIHP068N60EF-GE3 Hakkında
Vishay SIHP068N60EF-GE3, 600V dayanıma sahip N-channel MOSFET transistördür. 41A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 68mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, şarj cihazları, inverterler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 77nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2628 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok