Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SIHP065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SIHP065N60E

SIHP065N60E-GE3 Hakkında

Vishay SIHP065N60E-GE3, 600V ve 40A sürekli dren akımı ile çalışan N-kanal MOSFET transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, 65mΩ maksimum on-state direnç ve 250W güç yayılım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, şalter modlu güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi ve 98nC gate charge değerleri hızlı komütasyon işlemleri için uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok