Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHP050N60E
SIHP050N60E-GE3 Hakkında
Vishay SIHP050N60E-GE3, N-Channel MOSFET transistör olup 600V drain-source gerilimi ve 51A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi yüksek gerilim endüstri uygulamalarında kullanılmaktadır. 50mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) çalışabilir, through-hole montaj özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3459 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok