Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHLZ34S-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHLZ34S
SIHLZ34S-GE3 Hakkında
SIHLZ34S-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 50mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve ±10V gate gerilim toleransı ile esnek tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 18A, 5V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok