Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHLR120-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHLR120
SIHLR120-GE3 Hakkında
SIHLR120-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak geriliminde 7.7A sürekli dren akımı ile çalışır. 270mOhm maksimum on-direnç değeri (5V kapı geriliminde) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 42W maksimum güç disipasyonu (Tc) kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 4.6A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok