Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHK075N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerBSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHK075N60E
SIHK075N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHK075N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 10x12 paketinde sunulan bu bileşen, 80mOhm maksimum on-dirençi (Rds On) ile verimli güç iletimini sağlar. 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 62nC olup hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. Surface mount montajı ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2582 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerBSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK®10 x 12 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok