Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHK065N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerBSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHK065N60E
SIHK065N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHK065N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. E Series Power MOSFET serisi ürünü olan bu bileşen, PowerPAK 10x12 (8-PowerBSFN) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 34A sürekli dren akımı kapasitesi ve 68mOhm maksimum drain-source direnci ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı gerilimi ile kontrol edilen bu transistör, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor sürücüler, güç dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, maksimum 192W güç kaybına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerBSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK®10 x 12 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok