Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHK055N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerBSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHK055N60E
SIHK055N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHK055N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET'tir. 42A sürekli dren akımı kapasitesi ve 56mΩ maksimum Rds(On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 10x12 SMD paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yüklü anahtarlama uygulamalarına uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. ±30V Vgs derecelendirmesi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım için elverişlidir. 81nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3504 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerBSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 236W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK®10 x 12 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok