Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHK045N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerBSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHK045N60E
SIHK045N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHK045N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 48A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 10x12 paketlemesi sayesinde yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 49mOhm maksimum gate-source direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. 98nC gate yükü (Qg) karakteristiği hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans gösterir. 278W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel dönüştürücüler, motor kontrolü, UPS sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4013 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerBSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK®10 x 12 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok