Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHJ8N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHJ8N60E
SIHJ8N60E-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHJ8N60E-T1-GE3, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 520mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç denetim devreleri, motor kontrol uygulamaları, elektrik çevirici sistemleri ve SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 89W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. 44nC gate charge değeri ve 754pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 754 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok