Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHJ7N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHJ7N65E
SIHJ7N65E-T1-GE3 Hakkında
SIHJ7N65E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 7.9A sürekli drain akımı ve 598mΩ RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında tercih edilmektedir. 96W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle AC/DC dönüştürücüler, inverterler ve güç kaynakları tasarımlarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 598mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok