Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHJ6N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHJ6N65E
SIHJ6N65E-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHJ6N65E-T1-GE3, 650V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 868mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 32nC gate yükü ve 596pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel denetim sistemleri, AC/DC konverterler, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 596 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 868mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok