Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHJ690N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHJ690N60E
SIHJ690N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHJ690N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 5.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 700mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 48W maksimum güç tüketimine sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 347 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok