Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHJ240N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHJ240N60E
SIHJ240N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHJ240N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli dren akımı ve 240mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama regülatörlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 89W maksimum güç hızılama kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 783 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok