Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH28N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH28N60E
SIHH28N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH28N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 29A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 98mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerTDFN 8x8 yüzey montajı paketi ile kompakt devre tasarımları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 202W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 129 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2614 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok