Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH26N60E
SIHH26N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH26N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 25A sürekli dren akımı ve 135mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerTDFN 8x8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve diğer yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 202W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama ve düşük geçiş kaybı gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2815 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok