Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH24N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH24N65EF
SIHH24N65EF-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHH24N65EF-T1-GE3, 650V, 23A (Tc) drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. PowerTDFN 8x8 yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, 158mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 202W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 17nC gate charge ve 2780pF input capacitance değerleri belirtilmiştir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, elektrik taşıtlarında ve endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok