Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH21N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 19.8A PPAK 8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH21N65EF
SIHH21N65EF-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIHH21N65EF-T1-GE3, 650V çalışma gerilimi ile tasarlanan N-Channel MOSFET transistörüdür. 25°C'de 19.8A sürekli dren akımı ve 180mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında güvenilir anahtarlama elemanı görevi görür. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, konvertörler, UPS sistemleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 156W maksimum güç tüketim kapasitesi endüstriyel ortamlara uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2396 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok