Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH21N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH21N65E
SIHH21N65E-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHH21N65E-T1-GE3, 650V dayanıklı N-Channel MOSFET transistörüdür. 20.3A sürekli dren akımı ve 170mOhm (10V, 11A) düşük gate-source direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, inverterler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtar devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 156W maksimum güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2404 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok