Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH21N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH21N60EF
SIHH21N60EF-T1-GE3 Hakkında
SIHH21N60EF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve düzenleme işlevlerinde kullanılır. 185mOhm @ 10V gate geriliminde drain-source on-direnci, anahtarlama kayıplarını en aza indirir. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketi, kompakt PCB tasarımlarına uygun. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında endüstriyel ve ticari uygulamalar, elektrik tahrik devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2035 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 174W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok