Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH21N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH21N60E
SIHH21N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH21N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 176mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrolü ve konvertör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2015 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 176mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok