Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH20N50E-T1-GE3
MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH20N50E
SIHH20N50E-T1-GE3 Hakkında
SIHH20N50E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 22A sürekli drenaj akımı ve 147mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 174W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir ve ±30V gate gerilimi toleransı ile geniş bir uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2063 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 174W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 147mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok