Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH186N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH186N60EF
SIHH186N60EF-T1GE3 Hakkında
Vishay SIHH186N60EF-T1GE3, 600V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PowerTDFN 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 193mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 114W güç tüketebilir. 32nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, güç dönüştürücüler, motor kontrol, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS) ve endüstriyel sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 193mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok