Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH180N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH180N60E
SIHH180N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH180N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 19A sürekli drain akımı ve 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. PowerPAK 8x8 SMD paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve indüktif yüklerin kontrolünde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, ±30V gate voltajı toleransı ve 33nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1085 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok