Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH14N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH14N65EF
SIHH14N65EF-T1-GE3 Hakkında
SIHH14N65EF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 15A sürekli dren akımı kapasitesi ve 271mΩ on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. PowerTDFN 8x8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüler, şarj cihazları, motor kontrol devreler ve AC/DC Power Supply uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 156W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1749 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 271mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok