Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH14N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH14N60E
SIHH14N60E-T1-GE3 Hakkında
SIHH14N60E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 255mΩ maksimum RDS(on) değeriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Yüksek voltaj güç dönüştürme, inverter devreleri, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1416 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok