Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH125N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH125N60EF
SIHH125N60EF-T1GE3 Hakkında
Vishay SIHH125N60EF-T1GE3, 600V dayanım gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesi bulunan N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) ve 10V gate sürüş gerilimiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 156W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle yüksek güçlü anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, UPS uygulamalarında ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1533 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok