Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH120N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH120N60E
SIHH120N60E-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIHH120N60E-T1-GE3, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 24A sürekli drain akımı kapasitesi ve 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve 44nC gate charge karakteristiğine sahiptir. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrik araç sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortamlarda da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok