Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIHH11N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIHH11N65EF
SIHH11N65EF-T1-GE3 Hakkında
SIHH11N65EF-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 382mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK 8x8 yüzey montajlı paket tipinde sunulur. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında çalışır. 130W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. MOSFET teknolojisine dayalı bu bileşen, switching güç kaynakları, motor kontrol, güç yönetimi ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1243 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 382mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok